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SIHD690N60E-GE3
1个N沟道 耐压:600V 电流:6.4A
- 品牌名称
- VISHAY(威世)
- 商品型号
- SIHD690N60E-GE3
- 商品编号
- C6680006
- 商品封装
- TO-252AA
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 0.627克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 600V | |
| 连续漏极电流(Id) | 4A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | - | |
| 耗散功率(Pd) | 62.5W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 12nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 347pF@100V | |
| 反向传输电容(Crss) | - | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃@(Tj) |
商品特性
- 低品质因数（FOM）导通电阻（Ron）×栅极电荷（Qg）
- 低输入电容（Ciss）
- 降低开关和传导损耗
- 低栅极电荷（Qg）
- 雪崩能量额定值（UIS）
应用领域
- 计算机领域-个人电脑银色机箱/ATX电源-照明-两级LED照明-消费电子-使用硬开关拓扑的应用-功率因数校正(PFC)-双开关正激变换器-反激式变换器-开关模式电源(SMPS)
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