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SI4630DY-T1-E3
1个N沟道 耐压:25V 电流:27A
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- 描述
- 特性：无卤，符合IEC 61249-2-21标准。 TrenchFET功率MOSFET。 100%进行Rg测试。应用：同步降压。 低端应用
- 品牌名称
- VISHAY(威世)
- 商品型号
- SI4630DY-T1-E3
- 商品编号
- C6678805
- 商品封装
- SO-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.173181克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 25V | |
| 连续漏极电流(Id) | 27A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 2.7mΩ@10V,20A | |
| 耗散功率(Pd) | 3.5W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.2V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 49nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 6.67nF@15V | |
| 反向传输电容(Crss) | 531pF@15V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 997pF |
商品特性
- 低电阻
- 小型表面贴装封装(SOP8)，节省空间
- 无铅，符合RoHS标准
- 无卤
应用领域
- 开关应用
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