SI7421DN-T1-GE3
1个P沟道 耐压:30V 电流:6.4A
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- 品牌名称
- VISHAY(威世)
- 商品型号
- SI7421DN-T1-GE3
- 商品编号
- C6679654
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 6.4A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 25mΩ@10V,9.8A |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 1.5W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 40nC@10V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃@(Tj) |
商品特性
- 根据IEC 61249-2-21定义为无卤产品
- TrenchFET功率MOSFET
- 针对PWM优化
- 100%进行Rg测试
- 符合RoHS指令2002/95/EC
应用领域
- 电池开关-DC/DC转换器
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