温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
SIDR402DP-T1-GE3
1个N沟道 耐压:40V 电流:64.6A 100A
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
- 描述
- 特性：TrenchFET Gen IV功率MOSFET。 极低的RDS-Qg品质因数（FOM）。 针对最低的RDS-Qoss FOM进行了调整。 顶部散热功能为热传递提供了额外途径。 100%进行Rg和UIS测试。应用：同步整流。 OR-ing
- 品牌名称
- VISHAY(威世)
- 商品型号
- SIDR402DP-T1-GE3
- 商品编号
- C6679971
- 商品封装
- PowerPAKSO-8DC
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 64.6A；100A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 0.88mΩ@10V,20A | |
| 耗散功率(Pd) | 125W；6.25W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.3V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 165nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 9.1nF@20V | |
| 反向传输电容(Crss) | 210pF@20V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃@(Tj) | |
| 类型 | N沟道 |
优惠活动
购买数量
(3000个/圆盘，最小起订量 1 个)个
起订量：1 个3000个/圆盘
总价金额：
￥ 0.00近期成交1单
相似推荐
其他推荐
- SIDR5802EP-T1-RE3
- SIDR680DP-T1-RE3
- SIHA18N60E-GE3
- SIHA21N60EF-GE3
- SIHA25N50E-GE3
- SIHA25N60EFL-GE3
- SIHA2N80E-GE3
- SIHA4N80E-GE3
- SIHB120N60E-T5-GE3
- SIHB22N60ET5-GE3
- SIHB24N65EF-GE3
- SIHB24N65ET5-GE3
- SIHD690N60E-GE3
- SIHF22N65E-GE3
- SIHF8N50D-E3
- SIHFL110TR-BE3
- SIHFR1N60A-GE3
- SIHFR320TR-GE3
- SIHFU310-GE3
- SIHG15N60E-GE3
- SIHG22N50D-E3