SIDR220DP-T1-RE3
1个N沟道 耐压:25V 电流:100A 电流:87.7A
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- 品牌名称
- VISHAY(威世)
- 商品型号
- SIDR220DP-T1-RE3
- 商品编号
- C6679969
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 25V | |
| 连续漏极电流(Id) | 100A；87.7A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 5.8mΩ@10V,20A | |
| 耗散功率(Pd) | 125W；6.25W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.1V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 200nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 10.85nF@10V | |
| 反向传输电容(Crss) | 720pF@10V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃@(Tj) |
商品特性
- 根据 IEC 61249-2-21 定义，无卤素
- TrenchFET 功率 MOSFET
- 100% 测试栅极电阻 (Rg)
- 100% 测试非钳位感性开关 (UIS)
- 符合 RoHS 指令 2002/95/EC
应用领域
- 适配器开关-大电流负载开关-笔记本电脑
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