SIDR220DP-T1-RE3
1个N沟道 耐压:25V 电流:100A 电流:87.7A
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- 品牌名称
- VISHAY(威世)
- 商品型号
- SIDR220DP-T1-RE3
- 商品编号
- C6679969
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 25V | |
| 连续漏极电流(Id) | 100A；87.7A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 5.8mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 125W；6.25W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.1V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 200nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 10.85nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 720pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品特性
- TrenchFET第四代功率MOSFET
- 优化的Qg、Qgd和Qgd/Qgs比可降低开关相关的功率损耗
- 顶部散热功能为热传递提供了额外途径
- 经过100% Rq和UIS测试
应用领域
- 同步整流
- 高功率密度DC/DC
- 同步降压转换器
- 或门功能
- 负载开关
- 电池管理
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