SI2323DDS-T1-BE3
1个P沟道 耐压:20V 电流:4.1A 电流:5.3A
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
- 品牌名称
- VISHAY(威世)
- 商品型号
- SI2323DDS-T1-BE3
- 商品编号
- C6678774
- 商品封装
- SOT-23(TO-236)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.034克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 5.3A；4.1A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 39mΩ@4.5V,4.1A | |
| 耗散功率(Pd) | 1.7W；960mW |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 400mV | |
| 栅极电荷量(Qg) | - | |
| 输入电容(Ciss) | 1.16nF@10V | |
| 反向传输电容(Crss) | 120pF@10V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃@(Tj) |
商品特性
- 沟道型功率MOSFET
- 100%进行Rg和UIS测试
- 符合RoHS标准
- 无卤
相似推荐
其他推荐
- SI2325DS-T1-BE3
- SI3437DV-T1-BE3
- SI4368DY-T1-E3
- SI4413CDY-T1-GE3
- SI4630DY-T1-E3
- SI4630DY-T1-GE3
- SI7108DN-T1-E3
- SI7421DN-T1-GE3
- SI7810DN-T1-E3
- SIDR220DP-T1-RE3
- SIDR402DP-T1-GE3
- SIDR5802EP-T1-RE3
- SIDR680DP-T1-RE3
- SIHA18N60E-GE3
- SIHA21N60EF-GE3
- SIHA25N50E-GE3
- SIHA25N60EFL-GE3
- SIHA2N80E-GE3
- SIHA4N80E-GE3
- SIHB120N60E-T5-GE3
- SIHB22N60ET5-GE3