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DMT10H010SPS-13
1个N沟道 耐压:100V 电流:10.7A 113A
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- 描述
- 这款新一代 N 沟道增强型 MOSFET 旨在将导通电阻 RDS(ON)降至最低，同时保持出色的开关性能。该器件非常适合用于笔记本电脑电池电源管理和负载开关。
- 品牌名称
- DIODES(美台)
- 商品型号
- DMT10H010SPS-13
- 商品编号
- C6601863
- 商品封装
- PowerDI5060-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.177148克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 10.7A；113A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 8.8mΩ@10V,13A | |
| 耗散功率(Pd) | 139W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 56.4nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 4.468nF@50V | |
| 反向传输电容(Crss) | 32pF@50V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃@(Tj) |
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