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DMT10H015SPS-13
1个N沟道 耐压:100V 电流:7.3A 电流:44A
- 品牌名称
- DIODES(美台)
- 商品型号
- DMT10H015SPS-13
- 商品编号
- C6601865
- 商品封装
- PowerDI5060-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.171克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 7.3A；44A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 16mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 46W；1.3W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 33.3nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.343nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 26pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
这款新一代N沟道增强型MOSFET旨在最大限度降低漏源导通电阻，同时保持卓越的开关性能。该器件非常适合用于笔记本电脑电池电源管理和负载开关。
商品特性
- 生产过程中进行 100% 非钳位电感开关 (UIS) 测试 — 确保最终应用更加可靠和稳定
- 散热高效的封装 — 使应用运行时温度更低
- 高转换效率
- 低RDS(ON)— 最小化导通状态损耗
- 低输入电容
- 快速开关速度
- 无铅涂层;符合 RoHS 标准
- 无卤素和锑。“绿色”器件
- 该器件符合 JEDEC 标准(如 AEC - Q 中所引用),具备高可靠性
应用领域
-电机控制-DC-DC 转换器-电源管理