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DMT3009UFVW-13
1个N沟道 耐压:30V 电流:10.6A 电流:30A
- 品牌名称
- DIODES(美台)
- 商品型号
- DMT3009UFVW-13
- 商品编号
- C6601870
- 商品封装
- PowerDI3333-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.087克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 30A；10.6A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 11mΩ@10V,11A |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 2.6W；1.2W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.8V | |
| 栅极电荷量(Qg) | - | |
| 输入电容(Ciss) | 894pF@15V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃@(Tj) |
商品概述
这款MOSFET旨在将导通电阻（R_DS(ON)）降至最低，同时保持卓越的开关性能，非常适合用于高效电源管理应用。
商品特性
- 超低栅极阈值电压
- 低导通电阻
- 低输入电容
- 快速开关速度
- 可焊侧翼，便于光学检测
- 栅极具备ESD保护
- 生产过程中进行100%非钳位电感开关（UIS）测试，确保终端应用更可靠、更耐用
- 完全无铅，完全符合RoHS标准
- 无卤素和锑，为“绿色”器件
应用领域
- 背光照明
- 电源管理功能
- DC-DC转换器