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DMT32M5LFG-7实物图
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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

DMT32M5LFG-7

1个N沟道 耐压:30V 电流:100A

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描述
这款MOSFET旨在将导通电阻(RDS(ON))降至最低,同时保持卓越的开关性能,使其非常适合高效电源管理应用。
品牌名称
DIODES(美台)
商品型号
DMT32M5LFG-7
商品编号
C6601871
商品封装
PowerDI3333-8​
包装方式
编带
商品毛重
0.087克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)30V
连续漏极电流(Id)100A
导通电阻(RDS(on))1.4mΩ@10V
耗散功率(Pd)50W
属性参数值
阈值电压(Vgs(th))1.4V
栅极电荷量(Qg)67.7nC@10V
输入电容(Ciss)4.066nF
反向传输电容(Crss)333pF
工作温度-55℃~+150℃
输出电容(Coss)1.736nF

商品特性

  • 低RDS(ON)— 确保将导通损耗降至最低
  • 出色的 Qgd x RDS(ON) 乘积(品质因数)
  • 适用于DC-DC转换器的先进技术
  • 小尺寸、热效率高的封装,可实现更高密度的终端产品
  • 仅占用SO-8封装33%的电路板面积,使终端产品体积更小
  • 100%经过UIS(雪崩)额定测试
  • 无铅涂层;符合RoHS标准
  • 无卤素和锑,“绿色”器件

应用领域

  • 背光照明
  • 电源管理功能
  • DC-DC转换器

数据手册PDF