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DMT32M5LFG-7
1个N沟道 耐压:30V 电流:100A
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- 描述
- 这款MOSFET旨在将导通电阻（RDS(ON)）降至最低，同时保持卓越的开关性能，使其非常适合高效电源管理应用。
- 品牌名称
- DIODES(美台)
- 商品型号
- DMT32M5LFG-7
- 商品编号
- C6601871
- 商品封装
- PowerDI3333-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.087克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 100A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1.4mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 50W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.4V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 67.7nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 4.066nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 333pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 输出电容(Coss) | 1.736nF |
商品特性
- 低栅极电荷
- 低 Crss（典型值 16pF）
- 快速开关
- 100% 雪崩测试
- 改进的 dv/dt 能力
- 符合 RoHS 标准的产品
应用领域
-高频开关模式电源-电子镇流器-LED 电源