温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 270mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 5Ω@10V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 625mW | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | - | |
| 输入电容(Ciss) | 60pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 5pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品特性
- 漏源击穿电压(BVDSS) > 60 V
- 栅源电压(VGS) = 10V 时,导通电阻(RDS(on)) ≤ 5Ω
- 最大连续漏极电流(ID) = 270 mA
- 完全无铅且完全符合 RoHS 标准
- 无卤素和锑,“绿色”器件
- 符合 AEC-Q101 高可靠性标准
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