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DMT6012LFDF-13
1个N沟道 耐压:60V 电流:9.5A
- 品牌名称
- DIODES(美台)
- 商品型号
- DMT6012LFDF-13
- 商品编号
- C6601875
- 商品封装
- UDFN2020-6
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.036克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 9.5A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 14mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 11W；900mW |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.3V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 13.6nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 785pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 27pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
这款新一代MOSFET旨在最大限度地降低导通电阻（R_DS(ON)），同时保持出色的开关性能，非常适合高效电源管理应用。
商品特性
- 生产过程中进行100%非钳位电感开关(UIS)测试 — 确保终端应用更可靠、更耐用
- 0.6mm厚度 — 适用于薄型应用
- PCB占位面积为 4mm^2
- 低导通电阻
- 完全无铅且完全符合RoHS标准
- 无卤素和锑。“绿色”器件
应用领域
- DC-DC转换器
- 适配器开关
- 无线充电