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DMTH10H009SPS-13
1个N沟道 耐压:100V 电流:88A 电流:16A
- 品牌名称
- DIODES(美台)
- 商品型号
- DMTH10H009SPS-13
- 商品编号
- C6601883
- 商品封装
- PowerDI5060-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.171克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 88A；16A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 8.9mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 100W；1.6W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 30nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.085nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 13pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ |
商品概述
这款新一代 N 沟道增强型 MOSFET 旨在将漏源导通电阻降至最低，同时保持卓越的开关性能。该器件非常适合用于笔记本电脑电池电源管理和负载开关。
商品特性
- 额定温度达 +175℃—— 适用于高环境温度环境
- 生产过程中进行 100% 非钳位电感开关(UIS)测试 —— 确保最终应用更可靠、更耐用
- 热效率高的封装 —— 降低应用运行温度
- 高转换效率
- 低RDS(ON)—— 最小化导通状态损耗
- 低输入电容
- 快速开关速度
- 封装高度小于1.1mm —— 适用于轻薄应用(PowerDI)
- 无铅表面处理;符合RoHS标准
- 无卤素和锑。“绿色”器件
- 另有符合汽车标准的型号(DMTH10H009SPSQ),数据手册单独提供
应用领域
-电机控制-DC-DC转换器-电源管理