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DMT69M5LCG-7
1个N沟道 耐压:60V 电流:14.6A 电流:52.1A
- 品牌名称
- DIODES(美台)
- 商品型号
- DMT69M5LCG-7
- 商品编号
- C6601881
- 商品封装
- VDFN3333-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.107克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 14.6A；52.1A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 8.3mΩ@10V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 1.37W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 28.4nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.406nF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
这款新一代MOSFET旨在最大限度地降低导通电阻RDS(on)，同时保持卓越的开关性能，非常适合高效电源管理应用。
商品特性
- 生产过程中进行100%非钳位电感开关(UIS)测试,确保终端应用更可靠、更耐用
- 高转换效率
- 低导通电阻RDS(ON),最大限度降低导通状态损耗
- 低输入电容
- 快速开关速度
- 完全无铅,完全符合RoHS标准
- 无卤素和锑,环保器件
应用领域
- 笔记本电脑电池电源管理
- 负载开关
- 同步整流器
- 电源管理功能
- DC-DC转换器