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DMNH4011SK3Q-13
1个N沟道 耐压:40V 电流:50A
- 描述
- 这款MOSFET专为满足汽车应用的严苛要求而设计。它符合AEC - Q101标准，有生产件批准程序（PPAP）支持，非常适合用于：DC - DC转换器、电源管理功能。
- 品牌名称
- DIODES(美台)
- 商品型号
- DMNH4011SK3Q-13
- 商品编号
- C6601835
- 商品封装
- TO-252
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.556克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 50A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 10mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 50W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 25.5nC | |
| 输入电容(Ciss) | 1.405nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 108pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ |
商品概述
这款新一代 N 沟道增强型 MOSFET 旨在将 RDS(ON) 降至最低，同时保持卓越的开关性能。该器件非常适合用于笔记本电脑电池电源管理和负载开关。
商品特性
- 额定温度可达+175°C,适用于高环境温度环境
- 100%非钳位电感开关,确保终端应用更可靠、更耐用
- 低导通电阻
- 低输入电容
- 无铅涂层,符合RoHS标准
- 无卤素和锑,为“绿色”器件
- 符合AEC-Q101高可靠性标准
- 具备PPAP能力
应用领域
- DC-DC转换器
- 电源管理功能