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DMT10H009LSS-13
1个N沟道 耐压:100V 电流:13A 电流:48A
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- 品牌名称
- DIODES(美台)
- 商品型号
- DMT10H009LSS-13
- 商品编号
- C6601861
- 商品封装
- SO-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 2.644克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 48A；13A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 9mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 2.5W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.3V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 40.2nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.309nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 13.7pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
这款MOSFET旨在最小化导通电阻 RDS(ON),同时保持卓越的开关性能,非常适合高效电源管理应用。
商品特性
- 高转换效率
- 低RDS(ON)—— 最小化导通损耗
- 低输入电容
- 快速开关速度
- 生产过程中进行100%非钳位电感开关(UIS)测试 —— 确保终端应用更可靠、更耐用
- 完全无铅且完全符合RoHS标准
- 无卤素和锑。“绿色”器件
应用领域
-高频开关-同步整流-DC-DC转换器
- DMT10H010SPS-13
- DMT10H015SPS-13
- DMT10H9M9SSS-13
- DMT3009UFVW-13
- DMT32M5LFG-7
- DMT6011LSS-13
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- DMT64M1LCG-7
- DMT69M5LCG-7
- DTS20G25-19SN-6149
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- DTS20G25-29SB6149
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- DTS20G25-43SB6149
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