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SI2356DS-T1-GE3
1个N沟道 耐压:40V 电流:4.3A
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- 描述
- 特性：TrenchFET功率MOSFET。 100% Rg测试。应用：DC/DC转换器。 负载开关
- 品牌名称
- VISHAY(威世)
- 商品型号
- SI2356DS-T1-GE3
- 商品编号
- C74127
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.035克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 4.3A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 70mΩ@2.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 960mW |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 3.8nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 370pF | |
| 反向传输电容(Crss) | - | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品特性
- 沟槽式场效应功率MOSFET
- 100% Rq测试
应用领域
- 直流-直流转换器
- 负载开关
- LED背光
- 电源管理