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Si4943CDY-T1-GE3
2个P沟道 耐压:20V 电流:8A
- 描述
- 双MOS管，P沟道，20V,2A
- 品牌名称
- VISHAY(威世)
- 商品型号
- Si4943CDY-T1-GE3
- 商品编号
- C74216
- 商品封装
- SOIC-8-150mil
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.199333克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 8A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 19.2mΩ@10V,8A | |
| 耗散功率(Pd) | 2W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 41nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.945nF@10V | |
| 反向传输电容(Crss) | 385pF@10V | |
| 工作温度 | -50℃~+150℃ |
交货周期
订货3-5个工作日购买数量
(2500个/圆盘，最小起订量 2500 个)个
起订量：2500 个2500个/圆盘
总价金额：
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