温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
Si4943CDY-T1-GE3
2个P沟道 耐压:20V 电流:8A
SMT扩展库PCB免费打样
私有库下单最高享92折
- 描述
- 双MOS管，P沟道，20V,2A
- 品牌名称
- VISHAY(威世)
- 商品型号
- Si4943CDY-T1-GE3
- 商品编号
- C74216
- 商品封装
- SOIC-8-150mil
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.199333克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 8A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 19.2mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 2W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 41nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.945nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 385pF | |
| 工作温度 | -50℃~+150℃ |
商品特性
- 符合 IEC 61249-2-21 定义的无卤要求
- TrenchFET 功率 MOSFET
- 100% 进行 Rq 和 UIS 测试
- 符合 RoHS 指令 2002/95/EC
应用领域
-负载开关-计算机-游戏系统-电池开关-双节锂离子电池