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7N70L-TF1-T

1个N沟道耐压:700V 电流:7A

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描述: N沟道,700V,7A,1.4Ω@10V
品牌名称: UTC(友顺)
商品型号: 7N70L-TF1-T
商品编号: C74168
商品封装: TO-220F1
包装方式: 管装
商品毛重: 2.78克(g)

商品参数

商品概述

这款数字音频HEXFET专为D类音频放大器应用而设计。该MOSFET采用最新的处理技术，以实现单位硅面积的低导通电阻。此外，栅极电荷、体二极管反向恢复和内部栅极电阻均经过优化，以改善D类音频放大器的关键性能指标，如效率、总谐波失真（THD）和电磁干扰（EMI）。该MOSFET的其他特性包括175°C的工作结温和重复雪崩能力。这些特性相结合，使这款MOSFET成为D类音频放大器应用中高效、耐用且可靠的器件。

商品特性

先进的工艺技术
针对D类音频放大器应用优化的关键参数
低漏源导通电阻（RDSON），提高效率
低栅极电荷（Qg）和开关电荷（Qsw），改善总谐波失真和提高效率
低反向恢复电荷（Qrr），改善总谐波失真和降低电磁干扰
175°C工作结温，增强耐用性
重复雪崩能力，确保可靠性
多种封装选项
无铅

数据手册PDF

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	属性	参数值
	商品目录	场效应管(MOSFET)
	数量	1个N沟道
	漏源电压(Vdss)	700V
	连续漏极电流(Id)	7A
	导通电阻(RDS(on))	1.4Ω@10V,3.5A
	耗散功率(Pd)	48W

	属性	参数值
	阈值电压(Vgs(th))	2V
	栅极电荷量(Qg)	120nC@10V
	输入电容(Ciss)	1nF@25V
	反向传输电容(Crss)	19pF
	工作温度	-55℃~+150℃