SI2304BDS-T1-BE3
1个N沟道 耐压:30V 电流:2.6A
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- 品牌名称
- VISHAY(威世)
- 商品型号
- SI2304BDS-T1-BE3
- 商品编号
- C6488164
- 商品封装
- SOT-23(TO-236)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.034克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 3.2A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 70mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 690mW |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 7nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 225pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 28pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品特性
- 符合IEC 61249-2-21定义的无卤要求
- 沟道型场效应管(TrenchFET)功率MOSFET
- 100%进行栅极电阻(Rg)测试
- 符合RoHS指令2002/95/EC要求
应用领域
- 同步整流
- 高功率密度DC/DC
- DC/AC逆变器
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