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SI3139KL3A-TP
1个P沟道 耐压:20V 电流:650mA
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- 品牌名称
- MCC(美微科)
- 商品型号
- SI3139KL3A-TP
- 商品编号
- C6488176
- 商品封装
- DFN1006-3
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.011克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 650mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 850mΩ@4.5V,500mA | |
| 耗散功率(Pd) | 900mW |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.2V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 860pC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 40pF@16V | |
| 反向传输电容(Crss) | 11pF@16V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃@(Tj) |
商品特性
- 低逻辑电平栅极驱动操作
- 低导通状态漏源电阻的P沟道开关
- 环氧树脂符合UL 94 V-0阻燃等级
- 湿度敏感度等级3
- 无卤，“绿色”器件
- 无铅涂层/符合RoHS标准（后缀“P”表示符合RoHS标准，详见订购信息）