SI7328DN-T1-E3
1个N沟道 耐压:30V 电流:35A
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- 品牌名称
- VISHAY(威世)
- 商品型号
- SI7328DN-T1-E3
- 商品编号
- C6487947
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 35A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 6.6mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 3.78W；52W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 31.5nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.61nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 140pF | |
| 工作温度 | -50℃~+150℃ |
商品概述
采用最新Trench 9低欧姆超结技术的汽车级N沟道MOSFET，采用铜夹LFPAK88封装。该产品经过全面设计和认证，不仅满足AEC-Q101要求，还具备高性能和高可靠性。
商品特性
- 提供无卤选项
- TrenchFET功率MOSFET
- 低热阻PowerPAK封装,尺寸小,高度仅1.07 mm
- 100%进行Rg测试
应用领域
- 同步整流
- 笔记本电脑
- DC/DC转换器
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