SI7450DP-T1-RE3
电流:3.2A 电流:19.8A
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- 品牌名称
- VISHAY(威世)
- 商品型号
- SI7450DP-T1-RE3
- 商品编号
- C6487949
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 200V | |
| 连续漏极电流(Id) | 19.8A；3.2A | |
| 耗散功率(Pd) | 3.3W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 34nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | - | |
| 反向传输电容(Crss) | 12pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
适用于2.7 GHz至3.5 GHz频率范围的S波段雷达应用的单端50 W LDMOS功率晶体管。
商品特性
- TrenchFET功率MOSFET
- 采用低至1.07 mm薄型的PowerPAK封装,热阻低
- 针对快速开关进行PWM优化
- 100%进行Rg测试
应用领域
- 用于高密度DC/DC的初级侧开关
- 电信/服务器48 V DC/DC
- 工业和42 V汽车应用
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