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SI7820DN-T1-E3
1个N沟道 耐压:200V 电流:1.7A
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- 描述
- 特性：无卤，符合 IEC 61249-2-21 定义。 PWM 优化型 TrenchFET 功率 MOSFET。 100% RG 测试。 雪崩测试。 符合 RoHS 指令 2002/95/EC。应用：初级侧开关。 电信电源
- 品牌名称
- VISHAY(威世)
- 商品型号
- SI7820DN-T1-E3
- 商品编号
- C6487953
- 商品封装
- PowerPAK1212-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.111835克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 200V | |
| 连续漏极电流(Id) | 1.7A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 240mΩ@10V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 1.5W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 18nC@10V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 |
商品概述
这些新型器件适用于小信号应用，此类应用需要小型化封装，且需直接或通过使用电平转换配置来切换低电流（约350mA）。与3引脚封装相比，新型6引脚SC - 70封装可改善导通电阻值并增强热性能。
商品特性
- 符合 IEC 61249-2-21 定义的无卤要求
- PWM 优化型 TrenchFET 功率 MOSFET
- 100% Rq 测试
- 雪崩测试
- 符合 RoHS 指令 2002/95/EC
应用领域
-初级侧开关-电信电源-分布式电源架构-微型电源模块
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