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SI7820DN-T1-E3实物图
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温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准

SI7820DN-T1-E3

1个N沟道 耐压:200V 电流:1.7A

SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
描述
特性：无卤，符合 IEC 61249-2-21 定义。 PWM 优化型 TrenchFET 功率 MOSFET。 100% RG 测试。 雪崩测试。 符合 RoHS 指令 2002/95/EC。应用：初级侧开关。 电信电源
品牌名称
VISHAY(威世)
商品型号
SI7820DN-T1-E3
商品编号
C6487953
商品封装
PowerPAK1212-8​
包装方式
编带
商品毛重
0.111835克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)200V
连续漏极电流(Id)1.7A
导通电阻(RDS(on))240mΩ@10V,2.6A
属性参数值
耗散功率(Pd)1.5W
阈值电压(Vgs(th))4V
栅极电荷量(Qg)18nC@10V
工作温度-55℃~+150℃@(Tj)
类型N沟道

数据手册PDF

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