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HSCC8211
2个N沟道 耐压:20V 电流:8A
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- 描述
- HSCC8211是具有强大静电放电（ESD）保护功能的低导通电阻（RDSON）沟槽型N沟道MOSFET。该产品适用于锂离子电池组应用。HSCC8211符合RoHS标准和绿色产品要求，并通过了全功能可靠性认证
- 品牌名称
- HUASHUO(华朔)
- 商品型号
- HSCC8211
- 商品编号
- C700969
- 商品封装
- DFN-6-EP(3x2)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.045克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 8A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 13mΩ@4.5V,2A | |
| 耗散功率(Pd) | 1.56W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.2V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 10.6nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 735pF@10V | |
| 反向传输电容(Crss) | 81pF@10V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | - |
优惠活动
购买数量
(3000个/圆盘，最小起订量 5 个)个
起订量：5 个3000个/圆盘
总价金额：
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