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HSM4115实物图
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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

HSM4115

1个P沟道 耐压:40V 电流:8.7A

描述
HSM4115是高单元密度沟槽式P沟道MOSFET,可为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电阻(RDSON)和栅极电荷。HSM4115符合RoHS标准和绿色产品要求,100%经过雪崩耐量(EAS)测试,具备完整的功能可靠性认证。
品牌名称
HUASHUO(华朔)
商品型号
HSM4115
商品编号
C700984
商品封装
SOP-8​
包装方式
编带
商品毛重
0.125克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个P沟道
漏源电压(Vdss)40V
连续漏极电流(Id)8.7A
导通电阻(RDS(on))13mΩ@10V,8A
耗散功率(Pd)1.5W
属性参数值
阈值电压(Vgs(th))1V
栅极电荷量(Qg)28nC@4.5V
输入电容(Ciss)3.5nF@15V
反向传输电容(Crss)222pF@15V
工作温度-55℃~+150℃

数据手册PDF

交货周期

订货3-5个工作日

购买数量

(2500个/圆盘,最小起订量 5 个)
起订量:5 个2500个/圆盘

总价金额:

0.00

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