温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
HSU6008
1个N沟道 耐压:60V 电流:10A
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
- 描述
- HSU6008是高单元密度沟槽型N沟道MOSFET，可为大多数小功率开关和负载开关应用提供出色的导通电阻（RDSON）和效率。HSU6008符合RoHS标准和绿色产品要求，且通过了全功能可靠性认证。
- 品牌名称
- HUASHUO(华朔)
- 商品型号
- HSU6008
- 商品编号
- C701006
- 商品封装
- TO-252
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.427克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 10A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 90mΩ@10V,10A |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 20.8W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.2V | |
| 输入电容(Ciss) | 715pF@15V | |
| 反向传输电容(Crss) | 35pF@15V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
优惠活动
购买数量
(2500个/圆盘，最小起订量 5 个)个
起订量：5 个2500个/圆盘
总价金额：
￥ 0.00近期成交25单