温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
HSM4204
2个N沟道 耐压:40V 电流:7.5A
SMT扩展库PCB免费打样
私有库下单最高享92折
- 描述
- HSM4204 是高单元密度沟槽型 N 沟道 MOSFET，可为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电阻（RDSON）和栅极电荷。HSM4204 符合 RoHS 标准和绿色产品要求，100%经过 EAS 测试，具备完整的功能可靠性认证。
- 品牌名称
- HUASHUO(华朔)
- 商品型号
- HSM4204
- 商品编号
- C700992
- 商品封装
- SOP-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.172克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 7.5A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 15mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.5W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 10.7nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.314nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 88pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
HSM4204是高单元密度的沟槽式N沟道MOSFET，为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电阻（RDSON）和栅极电荷。HSM4204符合RoHS和绿色产品要求，100%经过EAS保证，并通过全功能可靠性认证。
商品特性
- 100% EAS保证
- 提供绿色器件
- 超低栅极电荷
- 出色的CdV/dt效应抑制
- 先进的高单元密度沟槽技术