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HSU3016
1个N沟道 耐压:30V 电流:96A
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- 描述
- HSU3016是高单元密度沟槽型N沟道MOSFET，可为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电阻（RDSON）和栅极电荷。HSU3016符合RoHS标准和绿色产品要求，100%通过EAS认证，具备完整的功能可靠性。
- 品牌名称
- HUASHUO(华朔)
- 商品型号
- HSU3016
- 商品编号
- C701001
- 商品封装
- TO-252-2
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.397克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 96A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 4mΩ@10V,30A | |
| 耗散功率(Pd) | 62W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 31.6nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 3.075nF@15V | |
| 反向传输电容(Crss) | 315pF@15V | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ |
优惠活动
购买数量
(2500个/圆盘，最小起订量 5 个)个
起订量：5 个2500个/圆盘
总价金额：
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