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HSM6113
1个P沟道 耐压:60V 电流:4.1A
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- 描述
- HSM6113 是高单元密度沟槽式 P 沟道 MOSFET，可为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电阻（RDSON）和栅极电荷。HSM6113 符合 RoHS 标准和绿色产品要求，100% 保证具有抗雪崩能力，并通过了全功能可靠性认证。
- 品牌名称
- HUASHUO(华朔)
- 商品型号
- HSM6113
- 商品编号
- C700985
- 商品封装
- SOP-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.139克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 4.1A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 90mΩ@10V,3A |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 3.1W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 11.8nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.08nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 50pF |
优惠活动
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