温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
HSM6115
1个P沟道 耐压:60V 电流:11A
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
- 描述
- HSM6115 是高单元密度沟槽型 P 沟道 MOSFET，可为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电阻（RDSON）和栅极电荷。HSM6115 符合 RoHS 标准和绿色产品要求，100% 通过了雪崩能量耐量（EAS）测试，且经过全面功能可靠性认证。
- 品牌名称
- HUASHUO(华朔)
- 商品型号
- HSM6115
- 商品编号
- C700986
- 商品封装
- SOP-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.148克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 11A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 25mΩ@10V,10A |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 5.2W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 25nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 3.635nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 141pF |
优惠活动
购买数量
(2500个/圆盘，最小起订量 5 个)个
起订量：5 个2500个/圆盘
总价金额：
￥ 0.00近期成交36单