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HSM9926
2个N沟道 耐压:20V 电流:6A
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- 描述
- HSM9926是高单元密度的沟槽型N沟道MOSFET，可为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电阻（RDSON）和栅极电荷。HSM9926符合RoHS标准和绿色产品要求，100%经过雪崩能量耐量（EAS）测试，且通过了全功能可靠性认证。
- 品牌名称
- HUASHUO(华朔)
- 商品型号
- HSM9926
- 商品编号
- C700975
- 商品封装
- SOP-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.128克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 6A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 28mΩ@4.5V,6A | |
| 耗散功率(Pd) | 1.3W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 600mV | |
| 栅极电荷量(Qg) | 6.2nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 553pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 120pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
优惠活动
购买数量
(4000个/圆盘，最小起订量 10 个)个
起订量：10 个4000个/圆盘
总价金额：
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