HSM9926
2个N沟道 耐压:20V 电流:6A
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- 品牌名称HUASHUO(华朔)
商品型号
HSM9926商品编号
C700975商品封装
SOIC-8包装方式
编带
商品毛重
0.128克(g)
商品参数
属性 | 参数值 | |
---|---|---|
商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
类型 | 2个N沟道 | |
漏源电压(Vdss) | 20V | |
连续漏极电流(Id) | 6A | |
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 28mΩ@4.5V,6A | |
功率(Pd) | 1.3W |
属性 | 参数值 | |
---|---|---|
阈值电压(Vgs(th)@Id) | 600mV@250uA | |
栅极电荷(Qg@Vgs) | 6.2nC@4.5V | |
输入电容(Ciss@Vds) | 553pF | |
反向传输电容(Crss@Vds) | 120pF | |
工作温度 | -55℃~+150℃ |
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10+¥0.183356¥0.1993
100+¥0.179676¥0.1953
300+¥0.177192¥0.1926
1000+¥0.174708¥0.1899¥759.6
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购买数量(4000个/圆盘,最小起订量 10 个 )
个
起订量:10 个4000个/圆盘
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