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HSM3056
1个N沟道 耐压:30V 电流:20A
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- 描述
- HSM3056 是高单元密度的沟槽型 N 沟道 MOSFET，可为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电阻（RDSON）和栅极电荷。HSM3056 符合 RoHS 标准和绿色产品要求，100% 通过全功能可靠性认证，确保环境适应性（EAS）。
- 品牌名称
- HUASHUO(华朔)
- 商品型号
- HSM3056
- 商品编号
- C700980
- 商品封装
- SOP-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.124克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 20A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 3.9mΩ@10V,20A | |
| 耗散功率(Pd) | 3.1W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.7V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 14.6nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.476nF@15V | |
| 反向传输电容(Crss) | 70pF@15V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
优惠活动
购买数量
(2500个/圆盘，最小起订量 5 个)个
起订量：5 个2500个/圆盘
总价金额：
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