温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
HSO8205
2个N沟道 耐压:20V 电流:6A
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
- 描述
- HSO8205 是低导通电阻（RDSON）的沟槽型 N 沟道 MOSFET。该产品适用于锂离子电池组应用。HSO8205 符合 RoHS 标准和绿色产品要求，且通过了全功能可靠性认证
- 品牌名称
- HUASHUO(华朔)
- 商品型号
- HSO8205
- 商品编号
- C700965
- 商品封装
- TSSOP-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.071克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 6A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 27mΩ@4.5V,6A | |
| 耗散功率(Pd) | 1.5W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 6.1nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 522pF@8V | |
| 反向传输电容(Crss) | 148pF@8V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | - |
优惠活动
购买数量
(5000个/圆盘，最小起订量 10 个)个
起订量：10 个5000个/圆盘
总价金额：
￥ 0.00近期成交2单