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HSS0127实物图
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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

HSS0127

1个P沟道 耐压:100V 电流:0.9A

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描述
HSS0127是高单元密度沟槽式P沟道MOSFET,可为大多数小功率开关和负载开关应用提供出色的导通电阻(RDSON)和效率。HSS0127符合RoHS标准和绿色产品要求,并通过了全功能可靠性认证。
品牌名称
HUASHUO(华朔)
商品型号
HSS0127
商品编号
C700960
商品封装
SOT-23L​
包装方式
编带
商品毛重
0.04克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个P沟道
漏源电压(Vdss)100V
连续漏极电流(Id)900mA
导通电阻(RDS(on))650mΩ@10V,800mA
属性参数值
耗散功率(Pd)1W
阈值电压(Vgs(th))-
输入电容(Ciss)553pF@15V
反向传输电容(Crss)20pF@15V
工作温度-55℃~+150℃

数据手册PDF

优惠活动

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(3000个/圆盘,最小起订量 5 个)
起订量:5 个3000个/圆盘

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