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HSS0127
1个P沟道 耐压:100V 电流:0.9A
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- 描述
- HSS0127是高单元密度沟槽式P沟道MOSFET，可为大多数小功率开关和负载开关应用提供出色的导通电阻（RDSON）和效率。HSS0127符合RoHS标准和绿色产品要求，并通过了全功能可靠性认证。
- 品牌名称
- HUASHUO(华朔)
- 商品型号
- HSS0127
- 商品编号
- C700960
- 商品封装
- SOT-23L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.04克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 900mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 650mΩ@10V,800mA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 1W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | - | |
| 输入电容(Ciss) | 553pF@15V | |
| 反向传输电容(Crss) | 20pF@15V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
HSS0127是高单元密度沟槽式P沟道MOSFET，可为大多数小功率开关和负载开关应用提供出色的导通电阻（RDSON）和效率。 HSS0127符合RoHS和绿色产品要求，并通过了全功能可靠性认证。 产品概述 超低栅极电荷 出色的Cdv/dt效应抑制
- 提供绿色环保器件
- 采用先进的高单元密度沟槽技术
商品特性
~~- 超低栅极电荷-出色的Cdv/dt效应抑制-提供绿色环保器件-采用先进的高单元密度沟槽技术