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SI2300DS-T1-GE3实物图
SI2300DS-T1-GE3商品缩略图
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SI2300DS-T1-GE3

环保标识
  • 1个N沟道 耐压:30V 电流:3.6A

  • SMT扩展库
  • 嘉立创SMT补贴
  • 描述

    N沟道,30V,3.6A,68mΩ@4.5V

  • 品牌名称VISHAY(威世)
  • 商品型号

    SI2300DS-T1-GE3
  • 商品编号

    C72271
  • 商品封装

    SOT-23
  • 包装方式

    编带

  • 商品毛重

    0.035克(g)

  • 商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
类型1个N沟道
漏源电压(Vdss)30V
连续漏极电流(Id)3.6A
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)68mΩ@4.5V,2.9A
功率(Pd)1.1W
属性参数值
阈值电压(Vgs(th)@Id)1.5V@250uA
栅极电荷(Qg@Vgs)6.5nC@10V
输入电容(Ciss@Vds)320pF@15V
反向传输电容(Crss@Vds)19pF@15V
工作温度-55℃~+150℃
FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能:标准
漏源极电压(Vdss):30V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):3.6A(Tc)
不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):68 毫欧 @ 2.9A,4.5V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):1.5V @ 250μA
不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):10nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss):320pF @ 15V
功率 - 最大值:1.7W
工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型:表面贴装
封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
供应商器件封装:SOT-23-3(TO-236)

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