SI4401DDY-T1-GE3
1个P沟道 耐压:40V 电流:10.2A
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描述
P沟道,-40V,-16.1A,0.015Ω@-10V
- 品牌名称VISHAY(威世)
商品型号
SI4401DDY-T1-GE3商品编号
C72317商品封装
SOIC-8包装方式
编带
商品毛重
0.245克(g)
商品参数
属性 | 参数值 | |
---|---|---|
商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
类型 | 1个P沟道 | |
漏源电压(Vdss) | 40V | |
连续漏极电流(Id) | 10.2A | |
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 15mΩ@10V,10.2A | |
功率(Pd) | 4W |
属性 | 参数值 | |
---|---|---|
阈值电压(Vgs(th)@Id) | 1.2V@250uA | |
栅极电荷(Qg@Vgs) | 33nC@10V | |
输入电容(Ciss@Vds) | 3.007nF@20V | |
反向传输电容(Crss@Vds) | 291pF@20V | |
工作温度 | -55℃~+150℃ |
FET 类型:MOSFET P 通道,金属氧化物
FET 功能:标准
漏源极电压(Vdss):40V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):16.1A(Tc)
不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):15 毫欧 @ 10.2A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):2.5V @ 250μA
不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):95nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss):3007pF @ 20V
功率 - 最大值:6.3W
工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型:表面贴装
封装/外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
供应商器件封装:8-SO
FET 功能:标准
漏源极电压(Vdss):40V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):16.1A(Tc)
不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):15 毫欧 @ 10.2A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):2.5V @ 250μA
不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):95nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss):3007pF @ 20V
功率 - 最大值:6.3W
工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型:表面贴装
封装/外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
供应商器件封装:8-SO
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