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SI4401DDY-T1-GE3实物图
SI4401DDY-T1-GE3商品缩略图
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SI4401DDY-T1-GE3

环保标识
  • 1个P沟道 耐压:40V 电流:10.2A

  • SMT扩展库
  • 嘉立创SMT补贴
  • 描述

    P沟道,-40V,-16.1A,0.015Ω@-10V

  • 品牌名称VISHAY(威世)
  • 商品型号

    SI4401DDY-T1-GE3
  • 商品编号

    C72317
  • 商品封装

    SOIC-8
  • 包装方式

    编带

  • 商品毛重

    0.245克(g)

  • 商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
类型1个P沟道
漏源电压(Vdss)40V
连续漏极电流(Id)10.2A
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)15mΩ@10V,10.2A
功率(Pd)4W
属性参数值
阈值电压(Vgs(th)@Id)1.2V@250uA
栅极电荷(Qg@Vgs)33nC@10V
输入电容(Ciss@Vds)3.007nF@20V
反向传输电容(Crss@Vds)291pF@20V
工作温度-55℃~+150℃
FET 类型:MOSFET P 通道,金属氧化物
FET 功能:标准
漏源极电压(Vdss):40V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):16.1A(Tc)
不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):15 毫欧 @ 10.2A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):2.5V @ 250μA
不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):95nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss):3007pF @ 20V
功率 - 最大值:6.3W
工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型:表面贴装
封装/外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
供应商器件封装:8-SO

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