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SI7414DN-T1-E3
1个N沟道 耐压:60V 电流:8.7A
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- 描述
- N沟道,60V,5.6A,21mΩ@10V
- 品牌名称
- VISHAY(威世)
- 商品型号
- SI7414DN-T1-E3
- 商品编号
- C73659
- 商品封装
- PowerPAK1212-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.176克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 8.7A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 25mΩ@10V,8.7A | |
| 耗散功率(Pd) | 3.8W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 25nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1nF@10V | |
| 反向传输电容(Crss) | 440pF@10V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 |
商品特性
- 符合 IEC 61249-2-21 标准的无卤产品
- TrenchFET 功率 MOSFET
- 针对 PWM 优化
应用领域
- 初级侧开关
- 同步整流器
- 电机驱动