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ZXMN6A08GQTC
1个N沟道 耐压:60V 电流:3.8A
- 品牌名称
- DIODES(美台)
- 商品型号
- ZXMN6A08GQTC
- 商品编号
- C6018028
- 商品封装
- SOT-223-3
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.212克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 5.3A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 80mΩ@10V,4.8A | |
| 耗散功率(Pd) | 2W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 5.8nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 459pF@40V | |
| 反向传输电容(Crss) | 24.1pF@40V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃@(Tj) |
商品特性
- 第二代芯片设计（内置碳化硅肖特基势垒二极管）
- 低二极管正向电压：VDSF = -1.35 V（典型值）
- 高电压：VDSS = 1200 V
- 低漏源导通电阻：RDS(ON) = 70 mΩ（典型值）
- 由于高阈值电压，不易发生故障：Vth = 4.2 至 5.8 V（VDS = 10 V，ID = 20 mA）
- 增强型模式。
应用领域
- 开关稳压器