商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 5.3A | |
| 耗散功率(Pd) | - |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | - | |
| 栅极电荷量(Qg) | 38nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.43nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 375pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品特性
- 高单元密度DMOS技术
- 低导通电阻
- 高功率和电流承载能力
- 快速开关速度
- 高瞬态耐受能力
应用领域
- 直流-直流转换器-螺线管和电机驱动器-负载开关