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DMN3042L-13实物图
  • DMN3042L-13商品缩略图

温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

DMN3042L-13

1个N沟道 耐压:30V 电流:5.8A

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描述
该MOSFET旨在最小化导通电阻 (RDS(on)),同时保持出色的开关性能,适用于高效电源管理应用。
品牌名称
DIODES(美台)
商品型号
DMN3042L-13
商品编号
C6021851
商品封装
SOT-23-3​
包装方式
编带
商品毛重
0.033克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)30V
连续漏极电流(Id)5.8A
导通电阻(RDS(on))26.5mΩ@10V,5.8A
耗散功率(Pd)720mW
属性参数值
阈值电压(Vgs(th))1.4V
栅极电荷量(Qg)20nC@10V
输入电容(Ciss)860pF@15V
反向传输电容(Crss)80pF@15V
工作温度-55℃~+150℃

商品概述

这款MOSFET旨在最小化导通电阻 RDS(on),同时保持卓越的开关性能,非常适合高效电源管理应用。

商品特性

  • 低导通电阻-低栅极阈值电压-低输入电容-快速开关速度-低输入/输出泄漏电流-完全无铅且完全符合RoHS标准-无卤素和锑,“绿色”器件

应用领域

  • 电池充电-电源管理功能-DC-DC转换器-便携式电源适配器

数据手册PDF