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DMP3008SFGQ-13
1个P沟道 耐压:30V 电流:8.6A
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- 描述
- 这款MOSFET旨在将导通电阻（RDS(ON)）降至最低，同时保持卓越的开关性能，使其非常适合高效电源管理应用。
- 品牌名称
- DIODES(美台)
- 商品型号
- DMP3008SFGQ-13
- 商品编号
- C6021887
- 商品封装
- PowerDI3333-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.087克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 8.6A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 17mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 900mW |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.1V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 47nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.23nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 294pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
WSP11N10T是一款高性能沟槽式双N沟道MOSFET，具有极高的单元密度，可为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电阻（RDSON）和栅极电荷。 WSF11N10T符合RoHS和绿色产品要求，100%经过EAS测试，具备完整的可靠性认证。
商品特性
- 低RDS(ON)——确保导通损耗最小化
- 小尺寸、热效率高的封装,可实现更高密度的终端产品
- 仅占用SO - 8封装33%的电路板面积,使终端产品体积更小
- 完全无铅且完全符合RoHS标准
- 无卤素和锑,是“绿色”器件
- 通过AEC - Q101标准认证,具备高可靠性
- 可提供生产件批准程序(PPAP)文件
应用领域
- 背光照明
- 电源管理功能
- DC - DC转换器
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