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DMT15H053SSS-13
1个N沟道 耐压:150V 电流:5.2A
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- 描述
- 此MOSFET旨在最小化导通电阻（RDS(ON)），同时保持卓越的开关性能，非常适合高效电源管理应用。
- 品牌名称
- DIODES(美台)
- 商品型号
- DMT15H053SSS-13
- 商品编号
- C6021905
- 商品封装
- SO-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.173181克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 150V | |
| 连续漏极电流(Id) | 5.2A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 41mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.3W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 11.5nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 814pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 3.7pF | |
| 工作温度 | -55℃~+110℃ | |
| 输出电容(Coss) | 84pF |
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