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DMTH6004LPS-13
1个N沟道 耐压:60V 电流:100A
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- 描述
- 这款MOSFET旨在最大限度地降低导通电阻 $(R_{DS(ON)})$，同时保持卓越的开关性能，非常适合高效电源管理应用。
- 品牌名称
- DIODES(美台)
- 商品型号
- DMTH6004LPS-13
- 商品编号
- C6021940
- 商品封装
- PowerDI5060-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.14克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 100A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 2.5mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 138W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 78.3nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 5.399nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 92pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 输出电容(Coss) | 1.306nF |
商品概述
这款MOSFET旨在最大限度降低导通电阻（RDS(ON)），同时保持卓越的开关性能，非常适合高效电源管理应用。
商品特性
- 额定温度达 +175℃ —— 适用于高环境温度环境
- 生产过程中进行 100% 非钳位电感开关(UIS)测试 —— 确保终端应用更可靠、更耐用
- 低RDS(ON)—— 最小化功率损耗
- 低 Qg —— 最小化开关损耗
- 无铅涂层;符合RoHS标准
- 无卤素和锑。“绿色”器件
- 该器件符合JEDEC标准(如AEC - Q中引用),具备高可靠性
- 符合汽车应用标准的产品有单独的数据手册(DMTH6004LPSQ)
应用领域
-隔离式DC-DC的初级开关-同步整流器-负载开关