温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
DMTH6004LPS-13
1个N沟道 耐压:60V 电流:100A
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
- 描述
- 这款MOSFET旨在最大限度地降低导通电阻 $(R_{DS(ON)})$，同时保持卓越的开关性能，非常适合高效电源管理应用。
- 品牌名称
- DIODES(美台)
- 商品型号
- DMTH6004LPS-13
- 商品编号
- C6021940
- 商品封装
- PowerDI5060-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.14克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 100A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 2.5mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 138W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 78.3nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 5.399nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 92pF | |
| 工作温度 | -56℃~+175℃ | |
| 输出电容(Coss) | 1.306nF |
商品概述
这款MOSFET旨在最大限度降低导通电阻（RDS(ON)），同时保持卓越的开关性能，非常适合高效电源管理应用。
商品特性
- 额定温度高达 +175°C，适用于高温环境
- 生产过程中进行 100% 非钳位电感开关（UIS）测试，确保终端应用更可靠、更耐用
- 低导通电阻（RDS(ON)），最大限度降低功率损耗
- 低栅极电荷（Qg），最大限度降低开关损耗
- 无铅表面处理，符合 RoHS 标准
- 无卤素和锑，为“绿色”器件
- 该器件符合 JEDEC 标准（参考 AEC-Q），具备高可靠性
- 另有符合汽车应用标准的型号（DMTH6004LPSQ），其数据手册单独提供
应用领域
- 隔离式 DC-DC 电源的主开关
- 同步整流器
- 负载开关