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DMTH69M8LFVW-13
1个N沟道 耐压:60V 电流:15.9A 电流:45.4A
- 品牌名称
- DIODES(美台)
- 商品型号
- DMTH69M8LFVW-13
- 商品编号
- C6021946
- 商品封装
- PowerDI3333-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.087克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 45.4A；15.9A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 9.5mΩ@10V,13.5A | |
| 耗散功率(Pd) | 29.4W；3.6W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | - | |
| 栅极电荷量(Qg) | 33.5nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.925nF@30V | |
| 反向传输电容(Crss) | 41pF@30V | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃@(Tj) |
商品概述
这款新一代MOSFET旨在最大程度降低导通电阻（R_DS(ON)），同时保持卓越的开关性能，非常适合高效电源管理应用。
商品特性
- 额定温度达+175℃ — 适用于高环境温度环境
- 生产过程中进行100%非钳位电感开关（UIS）测试 — 确保最终应用更可靠、更耐用
- 低导通电阻
- 小尺寸、热效率高的封装，可实现更高密度的终端产品
- 可焊侧翼，便于光学检测
- 完全无铅且符合RoHS标准
- 无卤素和锑，为“绿色”器件
- 通过AEC-Q101标准认证，可靠性高
- 另有符合汽车应用标准的产品规格书（DMTH69M8LFVWQ）
应用领域
-背光照明-电源管理功能-DC-DC转换器