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DMTH10H4M6SPS-13
1个N沟道 耐压:100V
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- 描述
- 新一代N沟道增强型MOSFET旨在最小化导通电阻，同时保持卓越的开关性能。该器件非常适合用于笔记本电脑电池电源管理和负载开关。
- 品牌名称
- DIODES(美台)
- 商品型号
- DMTH10H4M6SPS-13
- 商品编号
- C6021929
- 商品封装
- PowerDI5060-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.177148克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | - | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 4.6mΩ@10V,30A | |
| 耗散功率(Pd) | 136W；2.7W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 66nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 4.327nF@50V | |
| 反向传输电容(Crss) | 39pF@50V | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃@(Tj) |
商品概述
这款新一代N沟道增强型MOSFET旨在最大限度降低漏源导通电阻（RDS(ON)），同时保持卓越的开关性能。该器件非常适合用于笔记本电脑电池电源管理和负载开关。
商品特性
- 额定温度达+175°C，适用于高环境温度环境
- 生产过程中进行100%非钳位电感开关（UIS）测试，确保终端应用更可靠、更耐用
- 高转换效率
- 低漏源导通电阻（RDS(ON)），最大限度降低导通损耗
- 低输入电容
- 快速开关速度
- 无铅涂层，符合RoHS标准
- 无卤素和锑，“绿色”器件
应用领域
-笔记本电脑电池电源管理-负载开关-电机控制-DC-DC转换器-电源管理