温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
DMTH10H015SPS-13
1个N沟道 耐压:100V 电流:8.4A 电流:50.5A
- 品牌名称
- DIODES(美台)
- 商品型号
- DMTH10H015SPS-13
- 商品编号
- C6021925
- 商品封装
- PowerDI5060-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.171克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 50.5A；8.4A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 14.5mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 55W；1.5W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 30.1nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.343nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 26pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ |
商品概述
这款新一代的N沟道增强型MOSFET旨在最大程度降低漏源导通电阻，同时保持卓越的开关性能。
商品特性
- 额定温度达 +175℃—— 非常适合高环境温度环境
- 生产过程中进行100%非钳位电感开关(UIS)测试 —— 确保终端应用更可靠、更耐用
- 散热高效的封装 —— 应用运行更凉爽
- 低RDS(ON)—— 最大程度降低导通损耗
- 低输入电容
- 快速开关速度
- 无铅涂层;符合RoHS标准
- 无卤素和锑。“绿色”器件
- 该器件符合JEDEC标准(如AEC - Q中所引用),具备高可靠性。
- 符合汽车应用标准的产品规格详见单独的数据手册(DMTH10H015SPSQ)
应用领域
-电机控制-DC-DC转换器-电源管理