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商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 205A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1.6mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 2.7W；139W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 130.6nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 8.306nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 184pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
这款新一代 N 沟道增强型 MOSFET 旨在将 RDS(ON) 降至最低，同时保持出色的开关性能。该器件非常适合用于笔记本电脑电池电源管理和负载开关。
商品特性
- 生产过程中进行100%非钳位电感开关(UIS)测试,确保终端应用更可靠、更耐用
- 高转换效率
- 低导通电阻RDS(ON),最大限度降低导通状态损耗
- 低输入电容
- 快速开关速度
- 无铅涂层,符合RoHS标准
- 无卤和无锑,“绿色”器件
应用领域
-发动机管理系统-车身控制电子系统-DC-DC转换器