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DMT10H015LFG-13实物图
  • DMT10H015LFG-13商品缩略图

温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

DMT10H015LFG-13

1个N沟道 耐压:100V 电流:42A 电流:10A

品牌名称
DIODES(美台)
商品型号
DMT10H015LFG-13
商品编号
C6021899
商品封装
PowerDI3333-8​
包装方式
编带
商品毛重
0.087克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)100V
连续漏极电流(Id)42A;10A
导通电阻(RDS(on))13.5mΩ@10V
耗散功率(Pd)2W;35W
属性参数值
阈值电压(Vgs(th))3.5V
栅极电荷量(Qg)33.3nC@10V
输入电容(Ciss)1.871nF
反向传输电容(Crss)6.9pF
工作温度-55℃~+150℃

商品概述

这款新一代MOSFET旨在将导通电阻(RDS(ON))降至最低,同时保持卓越的开关性能,非常适合高效电源管理应用。

商品特性

  • 低RDS(ON)—— 确保将导通损耗降至最低
  • 出色的 Qgd x RDS(ON) 乘积(品质因数)
  • 适用于DC/DC转换器的先进技术
  • 小尺寸、热效率高的封装,可实现更高密度的终端产品
  • 仅占用SO - 8封装33%的电路板面积,使终端产品更小
  • 100%单脉冲雪崩能量(UIS)额定
  • 无铅涂层;符合RoHS标准
  • 无卤素和锑。“绿色”器件
  • 该器件符合JEDEC标准(如AEC - Q中引用的标准),具备高可靠性

应用领域

  • 同步整流器
  • 背光照明
  • 电源管理功能
  • DC - DC转换器

数据手册PDF