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DMN3061SW-7
1个N沟道 耐压:30V 电流:2.7A
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- 描述
- 此MOSFET旨在最小化导通电阻 (RDS(ON))，同时保持卓越的开关性能，非常适合高效电源管理应用。
- 品牌名称
- DIODES(美台)
- 商品型号
- DMN3061SW-7
- 商品编号
- C6021853
- 商品封装
- SOT-323
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.016克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 2.7A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 41mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 650mW |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.8V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 3.5nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 278pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 29pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 输出电容(Coss) | 44pF |
商品概述
TPH3208L系列650V、110mΩ氮化镓（GaN）场效应晶体管（FET）为常关型器件。它们结合了先进的高压GaN高电子迁移率晶体管（HEMT）和低压硅MOSFET技术，具备卓越的可靠性和性能。 与硅器件相比，Transphorm GaN通过更低的栅极电荷、更低的交越损耗和更小的反向恢复电荷，提高了效率。
商品特性
-低导通电阻-低输入电容-快速开关速度
应用领域
-通用接口开关-电源管理功能-直流-直流转换器-模拟开关